打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

2020-05-24 网络
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[科技新闻]打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中,能做到G 线(436nm)、I 线 (365nm)程度,现在主要在用的ArF光刻胶照样靠入口,EUV光刻胶现在还没有公司能生产,基本上都控制在日本公司手中。

不过EUV光刻胶也不是急需的,由于国内现在还没有EUV工艺量产,193nm的ArF光刻胶越发主要,现在国内有多家公司正在攻关中,这类光刻胶能够用于28nm到7nm工艺的先进工艺。

本日,南大光电在互动平台示意,公司的ArF光刻胶正在按设计举行客户测试,这意味着国内的ArF光刻胶手艺取得了主要打破,从研发入手下手走向生产。

,科技新闻实时报道,

依据南大光电公司之前的 音讯,公司于2017年入手下手研发“193nm 光刻胶项目”,已取得国度“02专项”的相干项目立项,公司设计经由过程3年的建立、投产及完成贩卖,到达年产25吨193nm(ArF干式和淹没式)光刻胶产物的生产规模,产物将满足集成电路行业需求规范。


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